赛微电子在互动平台表示：氮化镓【氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。】业务在技术方面存在诸多挑战，公司在2017~2018年筹划布局GaN【Gan即氮化镓，属第三代半导体材料，六角纤锌矿结构。】外延材料生长及器件设计(相关子公司2018年设立)时预计需要数年时间才能有所收获，截至目前，公司GaN材料及器件方面的研发及产业化进展比当初设想的要快，已逐步形成产品序列，下游意向需求旺盛，其中在GaN器件方面已签订批量销售合同，同时公司正积极努力解决稳定批量供应能力方面的挑战。但综合而言，毕竟属于新技术领域的新兴业务且公司控股比例不高，GaN业务为集团贡献规模业绩在客观上尚需时日。

（文章来源：界面新闻）

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